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还在为功率转换效率的瓶颈而烦恼吗？DMT10H015SPS-13正是为您破局而来的高效N沟道MOSFET。它拥有100V的耐压和高达44A的电流处理能力，其核心魅力在于极低的16毫欧导通电阻，能显著减少开关过程中的能量损耗，直接让您的电源或电机驱动方案运行得更凉快、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现快速、干净的开关动作，得益于其优化的栅极电荷特性，开关速度得以提升，从而降低开关损耗并支持更高的工作频率。无论是用于同步整流、负载开关还是电机控制，它都能帮助您提升系统整体能效和功率密度。

采用热性能卓越的PowerDI5060-8封装，它能有效散热，确保在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定工作。选择DMT10H015SPS-13，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的“动力核心”，让设计挑战迎刃而解。

• 型号:DMT10H015SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.3A（Ta），44A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta），46W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMT10H015SPS-13，Diodes产品一站式供应商。