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还在为功率转换效率难以突破而困扰吗？DMT10H072LFDF-7正是您期待的高效动力核心。这颗N沟道MOSFET能轻松驾驭高达100V的电压和4A的连续电流，而其核心魅力在于仅62毫欧的超低导通电阻，这意味着在开关导通期间，电能损耗被降至极低，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更持久。

它专为追求高性能与高密度的设计而生。低至4.5V的驱动电压让控制变得轻而易举，与各类控制器完美匹配；微小的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度，提升系统响应效率。采用先进的U-DFN2020-6超薄封装，它能完美融入空间紧张的现代电子产品中，让您在实现强大功率处理的同时，毫不妥协于产品的轻薄化设计。

• 型号:DMT10H072LFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:62 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:266 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMT10H072LFDF-7，Diodes产品一站式供应商。