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还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？DMT3006LFV-13 N沟道MOSFET就是您的高效解决方案。它能在30V电压下轻松驾驭60A的大电流，其核心魅力在于仅7毫欧的超低导通电阻，能大幅削减导通损耗，让您的设备运行更凉爽，电能利用率显著提高。

这颗芯片专为追求高性能与紧凑设计的您而生。它采用先进的PowerDI3333-8封装，在节省电路板空间的同时，其优化的栅极电荷确保了快速干净的开关动作，非常适合高频开关电源、电机驱动和同步整流应用。选择它，意味着您选择了更高效的热管理、更简化的驱动设计以及更可靠的整体性能，助您轻松打造出更具市场竞争力的终端产品。

• 型号:DMT3006LFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1155 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT3006LFV-13，Diodes产品一站式供应商。