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还在为电源路径上的效率瓶颈而头疼吗？DMT3020LSD-13双N沟道MOSFET阵列，就是您提升系统能效的得力助手。它凭借仅20毫欧的超低导通电阻和16A的高电流承载能力，能显著降低开关损耗和温升，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更冷静、更高效。

这颗芯片专为追求空间与性能平衡的设计而优化。它采用紧凑的SO-8封装，却集成了强大的性能：30V的漏源电压、快速的开关速度以及宽广的工作温度范围。无论是用于同步整流、负载开关还是电机控制，它都能让您轻松实现高可靠性、高功率密度的设计目标，是您打造下一代紧凑型高性能设备的理想选择。

• 型号:DMT3020LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:393pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMT3020LSD-13，Diodes产品一站式供应商。