我们为全球各个行业提供Diodes DMT47M2LDVQ-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为复杂的双MOSFET布局和散热问题头疼吗？让DMT47M2LDVQ-7为您带来一站式高效解决方案！这颗双N沟道MOSFET阵列，集卓越性能与微型封装于一身，能轻松胜任您项目中各种开关与驱动任务。

它拥有高达40V的漏源电压和30.2A的强劲连续电流输出能力，同时导通电阻低至惊人的10.8毫欧，这意味着它能大幅降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。其极低的栅极电荷确保了快速的开关速度，显著提升整体响应效率。无论是用于汽车电子中的电机控制、LED照明驱动，还是工业电源管理，它都能让您的设计更紧凑、性能更可靠。

采用符合AEC-Q101标准的汽车级工艺制造，并工作在-55°C至150°C的宽温范围，DMT47M2LDVQ-7为您提供的是超越寻常的耐久性和稳定性。选择它，就是为您的产品选择了经得起时间考验的核心动力。

• 型号:DMT47M2LDVQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.9A（Ta），30.2A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:891pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2.34W（Ta），14.8W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• DMT47M2LDVQ-7，Diodes产品一站式供应商。