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还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？DMT6009LJ3 N沟道MOSFET就是您的理想答案。它拥有60V耐压和高达74.5A的连续电流处理能力，同时其导通电阻低至惊人的10毫欧，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片专为要求严苛的应用而设计。其优化的栅极特性（最大栅极电荷仅33.5nC）让开关速度更快，损耗更低，轻松提升系统整体能效。无论是面对工业控制中的频繁开关，还是消费电子中追求极致体积与性能的平衡，DMT6009LJ3都能以TO-251封装提供的强大散热能力（Tc下83.3W）和宽工作温度范围，确保稳定可靠的持久表现，助您轻松攻克设计难关。

• 型号:DMT6009LJ3
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-251（TH 型）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 74.5A TO251
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):74.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W（Ta），83.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（TH 型）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• DMT6009LJ3，Diodes产品一站式供应商。