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还在寻找那颗能兼顾大电流与高效率的“核心开关”吗？DMT6012LFV-13正是为您而来的答案。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和高达43.3A的连续电流承载能力，其核心魅力在于仅12毫欧的超低导通电阻（在10V驱动下），这意味着它能大幅降低开关和传导过程中的能量损耗，直接为您提升系统整体能效，让热量管理变得更轻松。

它采用先进的PowerDI3333-8封装，在极小的空间内实现了优异的散热性能和功率密度，非常适合空间受限的现代高密度电源设计。无论是用于DC-DC转换器的同步整流，还是作为电机驱动、电池保护电路中的关键开关，DMT6012LFV-13都能确保高效、可靠的运行。选择它，就是为您的产品选择了一个强劲、高效且稳定的动力基石。

• 型号:DMT6012LFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 43.3A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):43.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1522 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.95W（Ta），33.78W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT6012LFV-13，Diodes产品一站式供应商。