我们为全球各个行业提供Diodes DMT67M8LCG-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗能兼顾大电流、低损耗与紧凑封装的功率MOSFET而烦恼吗？DMT67M8LCG-7正是为您量身打造的解决方案。它能轻松驾驭高达60V的电压和64.6A（Tc）的强劲电流，并以低至5.7毫欧的导通电阻，显著降低系统开关损耗，让您的电源管理或电机驱动应用运行得更高效、更凉爽。

这颗芯片采用先进的8DFN封装，不仅节省宝贵的PCB空间，其优异的散热设计更能确保在高负载下稳定工作。无论是提升能效、缩小体积还是增强可靠性，选择DMT67M8LCG-7，就是为您的产品选择了一个强大而可靠的核心动力开关。

• 型号:DMT67M8LCG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta），64.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2130 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT67M8LCG-7，Diodes产品一站式供应商。