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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关吗？DMT8012LSS-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有80V的耐压和9.7A的连续电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅16.5毫欧），能显著减少功率损耗和发热，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它专为要求严苛的汽车和工业环境而生，通过了AEC-Q101认证，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保在各种极端条件下稳定工作。无论是控制电机启停、管理LED电流，还是作为高效的负载开关，它都能让您轻松实现设计目标，同时提升最终产品的能效与可靠性。

• 型号:DMT8012LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 9.7A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16.5 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1949 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMT8012LSS-13，Diodes产品一站式供应商。