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还在为寻找一颗能同时满足高效率、高可靠性和紧凑设计的功率开关而烦恼吗？DMTH6005LK3Q-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有90A的强大电流承载能力和仅5.6毫欧的超低导通电阻，能显著降低您系统中的功率损耗，提升整体能效，让热量管理变得前所未有的轻松。

它专为汽车电子和工业应用打造，通过了AEC-Q101认证，确保即使在-55°C到175°C的极端温度环境下也能稳定工作。其TO-252-4L封装优化了散热与空间占用，让您的设计更紧凑、更高效。选择它，就是为您的电源管理、电机驱动或负载开关应用注入一颗强劲而可靠的核心。

• 型号:DMTH6005LK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 90A TO252-2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.6 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2962 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMTH6005LK3Q-13，Diodes产品一站式供应商。