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DRDNB26W-7 零件图片(仅供参考)

DRDNB26W-7
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DRDNB26W-7 规格参数

还在为电路板上的空间捉襟见肘而烦恼吗?DRDNB26W-7将为您带来颠覆性的紧凑型解决方案。这颗高度集成的预偏置NPN晶体管,内部已精准配置好基极和发射极电阻,并集成了一个保护二极管,让您无需再为分立元件的选型和布局费心。

它能轻松胜任高达600mA的负载开关、电平转换和信号放大任务。其50V的耐压和低至300mV的饱和压降,确保您的设计既高效又稳定。无论是驱动LED、管理电源,还是处理传感器信号,它都能以极小的SOT-363封装,为您释放宝贵的PCB空间,大幅简化设计流程,让产品开发更快、更省、更可靠。

  • 型号:DRDNB26W-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-363
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT363
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN - 预偏压 + 二极管
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
  • 包含电阻器:R1 和 R2
  • 电阻器 - 基极 (R1):220 Ohms
  • 电阻器 - 发射极 (R2):4.7 kOhms
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):47 @ 50mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA
  • 频率 - 跃迁:200 MHz
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
  • DRDNB26W-7,Diodes产品一站式供应商。
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DRDNB26W-7 基本参数:

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