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您正在寻找一种能精准锁定电压、保护后续电路的核心元件吗？MMBZ5229BW-7-F齐纳二极管正是为此而生。它能为您提供一个稳定的4.3V基准电压，容差精细至±4.99%，如同为您的电路设置了一个可靠的电压“锚点”，有效抑制电压波动，防止过压冲击损坏昂贵的核心芯片。

这颗芯片能让您的设计轻松应对严苛环境。其工作温度范围跨越-65°C到150°C，确保无论是在严寒还是高温工况下，性能都始终如一。采用紧凑的SOT-23-3表面贴装封装，它能够高效地集成到空间受限的现代电子产品中，帮助您简化布局，提升组装效率，是追求高可靠性和高空间利用率设计的理想选择。

• 型号:MMBZ5229BW-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 4.3V 200MW SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):4.3 V
• 容差:±4.99%
• 功率 - 最大值:200 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):22 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 1 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• MMBZ5229BW-7-F，Diodes产品一站式供应商。