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SBR1U200P1-7 零件图片(仅供参考)

SBR1U200P1-7
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SBR1U200P1-7 规格参数

还在寻找那颗能同时兼顾高效率、高可靠性和紧凑尺寸的整流芯片吗?SBR1U200P1-7超级势垒整流器正是为您而来。它采用创新的超级势垒技术,在200V的高压下仅产生820mV的超低正向压降,能显著降低您电源模块的导通损耗和温升,让系统运行更凉爽、更持久。

这颗芯片能为您做什么?它凭借仅25ns的极速反向恢复时间,大幅削减开关损耗和噪声,让您的开关电源、DC-DC转换器或电机驱动电路运行得更加安静高效。其1A的稳健电流处理能力和PowerDI 123的小巧封装,让您能在有限的空间内实现强大的功率处理,轻松应对高密度设计挑战,全面提升终端产品的竞争力与可靠性。

  • 型号:SBR1U200P1-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:PowerDI 123
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SBR 200V 1A POWERDI 123
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:超级势垒
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):820 mV @ 1 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):25 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 A @ 200 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:POWERDI123
  • 供应商器件封装:PowerDI 123
  • 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C
  • SBR1U200P1-7,Diodes产品一站式供应商。
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SBR1U200P1-7 基本参数:

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