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ZVN1409ASTZ 零件图片(仅供参考)

ZVN1409ASTZ
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ZVN1409ASTZ 规格参数

还在为高压、微电流电路中的开关选择而犹豫吗?让ZVN1409ASTZ为您提供清晰高效的答案!这颗N沟道MOSFET是专为精密控制而生的能手,它能以最低仅2.4V的驱动电压,轻松驾驭高达90V的电压环境,实现精准的信号通断与隔离,让您的仪器仪表、传感器接口或高压侧开关电路设计变得异常简洁。

得益于其仅10mA的连续漏极电流和极低的栅极电荷需求,它能帮助您大幅降低系统的整体功耗,特别适合电池供电或对能效有苛刻要求的应用。经典的TO-92兼容封装,让您的原型制作与生产焊接都轻松便捷。选择它,就是为您的产品选择了一份经受过市场长期验证的可靠性与高效能。

  • 型号:ZVN1409ASTZ
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:E-Line(TO-92 兼容)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 90V 10MA E-LINE
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):90 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):250 欧姆 @ 5mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 100A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):6.5 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):625mW(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:E-Line(TO-92 兼容)
  • 封装/外壳:E-Line-3
  • ZVN1409ASTZ,Diodes产品一站式供应商。
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ZVN1409ASTZ 基本参数:

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