还在为高压小电流电路的开关选择而犹豫吗?让ZVN2120GTC来为您轻松化解难题!这颗N沟道MOSFET就像一个高效精准的‘电子开关’,专为200V以下的高压环境设计,能可靠地控制高达320mA的电流通断。其10V的低驱动门槛和优化的导通特性,让您的控制电路设计更简单,响应更迅速。
它采用坚固的SOT-223表面贴装封装,不仅节省宝贵的电路板空间,其2W的功率处理能力和宽达-55°C至150°C的工作温度范围,更能确保您的设备在各种环境下稳定运行,大幅提升整体系统的可靠性与能效。选择它,就是为您的产品注入一份高效与安心。
- 型号:ZVN2120GTC
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-223-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):10 欧姆 @ 250mA,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):85 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-223-3
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- ZVN2120GTC,Diodes产品一站式供应商。