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您正在寻找一颗能轻松驾驭中小功率开关任务，同时兼顾高效与可靠的MOSFET吗？ZVN4306AVSTZ正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有60V的漏源电压和1.1A的连续电流能力，其核心魅力在于仅需5V至10V的驱动电压，就能实现低至330毫欧的导通电阻，让您的电路开关动作既迅速又节能，显著降低系统发热与功耗。

它采用经典的TO-92兼容E-Line通孔封装，安装简便，兼容性强。宽广的-55°C到150°C工作温度范围，确保它在各种严苛环境下都能稳定工作。无论是用于电源管理、电机驱动还是负载开关，ZVN4306AVSTZ都能让您的设计更高效、更稳健，是追求性价比与可靠性的工程师的明智之选。

• 型号:ZVN4306AVSTZ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 1.1A E-LINE
• 系列:-
• 包装:带盒（TB）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:850mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
• ZVN4306AVSTZ，Diodes产品一站式供应商。