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还在为空间有限的电路板寻找一颗高效、可靠的电源开关吗？ZXM62P03E6TC正是为您而来。这颗P沟道MOSFET能在30V电压下顺畅处理1.5A的电流，其核心魅力在于仅需4.5V的低驱动电压，就能实现极低的导通损耗（典型值230mΩ），让您的设备能量转换更高效，发热更少，续航更持久。

它专为提升您的设计效率而生。超小的SOT-26封装让您轻松应对紧凑的PCB布局，无论是用于便携设备的负载开关、电源路径管理，还是关键的电池保护电路，它都能稳定胜任。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了它在各种环境下都能可靠运行，让您的产品无惧挑战。

简而言之，ZXM62P03E6TC能帮助您以更小的空间占用和更优的能效，构建出更稳定、更耐用的电源管理系统，是您实现精巧高效设计的得力助手。

• 型号:ZXM62P03E6TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:230 毫欧 @ 800mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:330 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
• ZXM62P03E6TC，Diodes产品一站式供应商。