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还在为复杂的双MOSFET布局烦恼吗？让ZXMC3AM832TA来简化您的工作！这颗芯片将N沟道和P沟道MOSFET集成于一身，为您提供30V/2.9A（N沟道）和30V/2.1A（P沟道）的强劲驱动能力，让您在单颗芯片上就能实现高效的同步开关与负载控制。

它专为逻辑电平驱动优化，您可以直接用微控制器的GPIO口轻松驾驭，省去繁琐的电平转换电路。其超低的导通电阻（120mΩ）和栅极电荷，能显著降低导通损耗和开关损耗，从而提升整个系统的能源效率。无论是用于电源管理、电机驱动还是信号切换，它都能让您的设计更紧凑、性能更优异。

• 型号:ZXMC3AM832TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-MLP（3x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A，2.1A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:190pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.7W
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-VDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-MLP（3x2）
• ZXMC3AM832TA，Diodes产品一站式供应商。