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还在为电路板上的空间捉襟见肘而发愁吗？ZXMD65N02N8TA双N沟道MOSFET阵列就是您的高效空间管理大师。它巧妙地将两个独立的功率开关合二为一，封装在紧凑的8-SOIC里，让您轻松实现双路控制而无需牺牲宝贵的布局面积。

这颗芯片能为您做什么？它让您以极低的导通损耗（仅25mΩ）高效驾驭每路最高6.6A的电流，完美适用于20V以下的电机驱动、负载开关或电源分配电路。其卓越的电气特性意味着更少的能量浪费和更低的温升，直接助力提升您终端产品的能效与可靠性。选择它，就是选择了一种更精简、更高效、更可靠的设计方案。

• 制造商产品型号：ZXMD65N02N8TA
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET 2N-CH 20V 8-SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：*
• 零件状态：停产
• FET类型：2 N-通道（双）
• FET功能：标准
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：6.6A
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 6A，4.5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• 功率-最大值：2W
• 工作温度：-
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• ZXMD65N02N8TA，Diodes产品一站式供应商。