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您正在寻找一颗能轻松驾驭100V电压、同时保持极低能量损耗的开关核心吗？ZXMN10A08E6TA正是为此而生。这颗N沟道MOSFET能为您提供高达1.5A的连续电流处理能力，而其导通电阻低至惊人的250毫欧，这意味着在开关和导通状态下，它能最大限度地减少热量产生和功率浪费，让您的系统运行得更凉爽、更持久。

得益于其优化的栅极特性，驱动它变得异常简单高效，让您可以轻松设计外围电路，实现快速、干净的信号切换。无论是用于电源管理中的负载开关，还是电机、LED的精密控制，它都能稳定可靠地工作。其坚固的SOT-26封装，不仅节省宝贵的电路板空间，更能适应从-55°C到150°C的广阔温度范围，确保您的产品在各种环境下都表现出色。

• 型号:ZXMN10A08E6TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:405 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
• ZXMN10A08E6TA，Diodes产品一站式供应商。