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还在为寻找一颗能兼顾性能、可靠性与成本的功率开关而烦恼吗？让ZXMN10A09KTC来为您排忧解难！这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，以其100V/5A的稳健规格，成为您实现高效电源转换与电机控制的得力助手。

它的核心魅力在于极低的导通电阻（仅85mΩ@10V），能显著减少开关过程中的功率损耗，直接为您带来更低的温升和更高的系统效率。无论是用于开关电源、电机驱动还是负载开关，它都能让您的设计运行得更冷静、更持久。搭配TO-252封装优秀的散热能力和宽泛的工作温度范围，确保您的产品在各种应用场景下都稳定可靠。

简而言之，选择ZXMN10A09KTC，就是选择用一颗芯片轻松提升整机能效与可靠性，同时优化您的系统成本，让产品竞争力脱颖而出。

• 型号:ZXMN10A09KTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 4.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1313 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.15W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• ZXMN10A09KTC，Diodes产品一站式供应商。