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还在为空间受限的设计中找不到合适的功率开关而烦恼吗？ZXMN2B03E6TA正是为您解忧的利器！这颗由Diodes推出的N沟道MOSFET，采用紧凑的SOT-23-6封装，却能轻松驾驭高达4.3A的连续电流，其超低的40毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的设备运行更高效、更凉爽。

它专为高效开关而优化，极低的栅极电荷和输入电容让开关速度更快、损耗更小，非常适合电池供电的便携设备、DC-DC转换器或电机驱动等应用。宽达-55°C至150°C的工作温度范围，确保了它在各种环境下都能稳定可靠地工作。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲而可靠的“心脏”。

• 型号:ZXMN2B03E6TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 4.3A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1160 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
• ZXMN2B03E6TA，Diodes产品一站式供应商。