还在为寻找一颗性能与尺寸完美平衡的功率开关而烦恼吗?让ZXMN6A07FQTA来为您排忧解难!这颗N沟道MOSFET是您实现高效电源管理的秘密武器,它能轻松担当起电路中的开关、驱动或保护角色。
凭借60V的耐压和1.2A的持续电流能力,它让您的小型化设计也能承载充沛动力。其极低的导通电阻能显著减少功率损耗,提升整体能效,而快速的开关特性则确保了响应迅捷。无论是用于车载设备、便携式电子产品还是工业模块,它都能稳定工作,助您打造出更可靠、更节能的卓越产品。
- 型号:ZXMN6A07FQTA
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.2A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):250 毫欧 @ 1.8A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):3.2 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):166 pF @ 40 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):625mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- ZXMN6A07FQTA,Diodes产品一站式供应商。