我们为全球各个行业提供Diodes ZXMN6A07ZTA现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗既能扛住60V高压，又能高效通过近2安培电流，同时还能保持极低发热的功率开关？ZXMN6A07ZTA正是为您解决这一难题而生的利器。这颗N沟道MOSFET凭借其低至250毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或负载开关电路运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松实现快速的负载切换和精准的功率控制。其宽泛的栅极驱动电压兼容性（4.5V-10V）和极低的栅极电荷，意味着您可以用更简单的驱动电路获得更快的开关速度，从而提升整体系统响应效率。无论是用于便携设备、智能家居还是工业控制模块，它都能帮助您优化能效，延长电池寿命，并增强产品的可靠性。

• 型号:ZXMN6A07ZTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-89-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 1.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:166 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-89-3
• 封装/外壳:TO-243AA
• ZXMN6A07ZTA，Diodes产品一站式供应商。