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ZXMN6A08E6QTA 零件图片(仅供参考)

ZXMN6A08E6QTA
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ZXMN6A08E6QTA 规格参数

还在寻找一颗能在紧凑空间内实现高效功率切换的“全能选手”吗?ZXMN6A08E6QTA正是您理想的解决方案。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET,拥有60V的耐压和2.8A的连续电流能力,其卓越的低导通电阻(仅80mΩ)能显著降低导通损耗,让您的系统运行更凉爽、更高效。

它专为简化您的设计而生。优化的驱动特性(Vgs(th)低至1V)与极低的栅极电荷,让您能够轻松驱动,实现快速、干净的开关动作,完美适用于DC-DC转换、电机控制、负载开关等关键电路。采用SOT-26超小型封装,它能帮助您最大限度地节省宝贵的PCB空间,同时其宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C)确保了在各种环境下的可靠性与耐久性。

  • 型号:ZXMN6A08E6QTA
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • ZXMN6A08E6QTA,Diodes产品一站式供应商。
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ZXMN6A08E6QTA 基本参数:

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