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ZXMP2120FFTA 零件图片(仅供参考)

ZXMP2120FFTA
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ZXMP2120FFTA 规格参数

还在寻找一颗能轻松驾驭200V高压开关任务的微型功臣吗?ZXMP2120FFTA P沟道MOSFET就是您的理想之选。它让您能够以极低的驱动电压(仅需10V)高效控制高压回路,其低至28欧姆的导通电阻显著减少了功率损耗,让系统运行更凉爽、更持久。

这颗芯片专为空间和能效要求苛刻的应用而设计。采用微小的SOT-23F封装,它能轻松嵌入各种便携设备、电源模块或工业控制板的紧凑布局中。高达200V的耐压和137mA的驱动能力,确保您在应对电源管理、信号隔离或负载开关等任务时游刃有余,大幅提升设计的可靠性与整体性能。

  • 型号:ZXMP2120FFTA
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23F
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 200V 137MA SOT23F
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:最后售卖
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):137mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):28 欧姆 @ 150mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):100 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):1W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-23F
  • 封装/外壳:SOT-23-3 扁平引线
  • ZXMP2120FFTA,Diodes产品一站式供应商。
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ZXMP2120FFTA 基本参数:

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