Diodes（美台半导体）栅极驱动器

三相栅极驱动器

高度集成的三相栅极驱动器设计用于驱动半桥配置中的 6 个 N 沟道 MOSFET 或 IGBT。

半桥栅极驱动器

半桥栅极驱动器是能够驱动 N 沟道 MOSFET 和 IGBT 的高压/高速栅极驱动器。

高侧/低侧栅极驱动器

高侧/低侧栅极驱动器旨在支持高达 600V 的电压，允许在电源和电机驱动中常用的高压轨上运行。

低侧栅极驱动器

低侧栅极驱动器具有反相和非反相选项。它们的额定电压为 50 至 600V。

单通道栅极驱动器

单通道栅极驱动器是高压/高速栅极驱动器，能够在自举配置中驱动一个 N 通道 MOSFET 或 IGBT。