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还在为寻找一颗能完美驱动半桥拓扑、兼具高性能与高可靠性的栅极驱动器而烦恼吗？DGD0547FN-7正是您期待的解决方案。这颗芯片专为驱动N沟道MOSFET而优化，拥有0.3V至60V的宽电压适应能力和强劲的2A/1.5A峰值输出电流，能轻松、高效地控制功率开关，显著提升您的电源转换效率。

它采用先进的CMOS/TTL兼容输入，响应迅速且抗干扰能力强，其极短的上升/下降时间（典型值16ns/12ns）能大幅降低开关损耗。无论是用于电机驱动、DC-DC转换还是UPS系统，DGD0547FN-7都能让您的设计在-40°C到125°C的广阔温度范围内稳定工作，并以微小的DFN3030-10封装为您节省宝贵空间，是打造紧凑、高效、可靠电力系统的理想核心。

• 型号:DGD0547FN-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:W-DFN3030-10
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:0.3V ~ 60V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.4V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，2A
• 输入类型:CMOS/TTL
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:50 V
• 上升/下降时间（典型值）:16ns，12ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:10-WFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:W-DFN3030-10
• DGD0547FN-7，Diodes产品一站式供应商。