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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效与可靠的功率开关吗？DMG3N60SCT正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和3.3A的连续电流处理能力，其核心价值在于极低的导通损耗与出色的开关性能，能显著提升您电源或电机驱动系统的整体效率，让热能浪费成为过去。

它采用成熟的TO-220AB封装，散热能力出众，确保在高负荷下稳定运行。更值得一提的是，它符合汽车级AEC-Q101标准，这意味着它具备卓越的可靠性与耐久性，能从容应对各种严苛环境。选择DMG3N60SCT，就是为您的设计注入一颗强劲、可靠且高效的动力核心，让产品性能脱颖而出。

• 型号:DMG3N60SCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220AB（TH 型）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:354 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:104W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220AB（TH 型）
• 封装/外壳:TO-220-3
• DMG3N60SCT，Diodes产品一站式供应商。