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还在为复杂的双路开关电路布局头疼吗？DMN3135LVT-7双N沟道MOSFET就是为您量身打造的集成化答案。它将两个高性能的30V/3.5A MOSFET合二为一，采用超紧凑的TSOT-26封装，让您轻松节省超过50%的PCB空间，为产品小型化设计扫清障碍。

这颗芯片能为您做什么？它让您高效实现负载切换、电机驱动或电源路径管理。其逻辑电平门（驱动电压低至2.2V）可直接由微控制器驱动，省去额外电路；而低至60毫欧的导通电阻，则能显著减少导通损耗，提升系统整体能效，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

无论是便携设备、物联网模块还是高密度电源，DMN3135LVT-7都能以稳定的性能和宽温工作范围（-55°C ~ 150°C），确保您的设计在各种环境下可靠运行。选择它，就是选择了一条更简洁、更高效、更可靠的设计路径。

• 型号:DMN3135LVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.1nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:305pF @ 15V
• 功率 - 最大值:840mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
• DMN3135LVT-7，Diodes产品一站式供应商。