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DMN4040SK3-13 零件图片(仅供参考)

DMN4040SK3-13
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DMN4040SK3-13 规格参数

还在寻找那颗能兼顾高效与可靠的功率开关吗?DMN4040SK3-13正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET,拥有40V的耐压和6A的连续电流能力,其核心魅力在于极低的30毫欧导通电阻,能显著降低导通损耗,让您的电源模块或电机驱动运行得更凉快、更高效。

它专为简化您的设计而生。4.5V的低驱动电压让您轻松搭配微控制器,而极低的栅极电荷确保了迅猛的开关响应,全面提升系统动态性能。无论是空间紧张的消费电子,还是环境严苛的工业设备,其TO-252-3封装和宽广的温度适应性都能让您高枕无忧。选择它,就是为您的产品注入了强劲且可靠的动力核心。

  • 型号:DMN4040SK3-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TO-252-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 6A TO252-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):30 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):18.6 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):945 pF @ 20 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.71W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-252-3
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • DMN4040SK3-13,Diodes产品一站式供应商。
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DMN4040SK3-13 基本参数:

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