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DMN6040SFDEQ-7 零件图片(仅供参考)

DMN6040SFDEQ-7
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DMN6040SFDEQ-7 规格参数

您正在寻找一颗能在汽车电子系统中担当高效开关重任的“核心动力”吗?DMN6040SFDEQ-7正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和5.3A的电流处理能力,其核心价值在于极低的导通电阻与栅极电荷,能显著降低开关损耗和发热,让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它专为符合AEC-Q101标准的汽车应用设计,具备卓越的可靠性,能在-55°C至150°C的严酷环境下稳定工作。紧凑的U-DFN封装为您节省宝贵的电路板空间,让设计更小巧、更集成。选择DMN6040SFDEQ-7,就是为您的产品注入了高效、可靠与紧凑的基因,轻松应对汽车电子领域的性能挑战。

  • 型号:DMN6040SFDEQ-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:U-DFN2020-6(E 类)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.3A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):38 毫欧 @ 4.3A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):22.4 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1287 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):660mW(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:U-DFN2020-6(E 类)
  • 封装/外壳:6-PowerUDFN
  • DMN6040SFDEQ-7,Diodes产品一站式供应商。
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DMN6040SFDEQ-7 基本参数:

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