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还在为电路板空间紧张而发愁吗？ZXMD63N03XTC双N沟道MOSFET阵列就是您的高效空间管理大师。它将两个30V/2.3A的MOSFET集成在仅3mm宽的微型封装内，让您轻松实现紧凑的电路布局，同时凭借135毫欧的低导通电阻，大幅降低功率损耗，提升系统整体能效。

这颗芯片专为简化您的设计而生。其逻辑电平门特性（驱动电压阈值低至1V）意味着您可以直接用微控制器的GPIO口来驱动它，省去额外的电平转换电路，让设计更简洁，成本更优。无论是用于负载开关、电机驱动还是电源管理，它都能让您的产品运行更高效、更可靠。

• 型号:ZXMD63N03XTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-MSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:290pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.04W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
• 供应商器件封装:8-MSOP
• ZXMD63N03XTC，Diodes产品一站式供应商。