还在为空间有限的PCB布局而烦恼吗?ZXM61N02FTC正是为您解忧的利器。这颗N沟道MOSFET能为您高效、可靠地控制电路的通断,其1.7A的电流能力和20V的耐压,让它在便携设备、电源模块等应用中游刃有余,轻松胜任负载开关、电机驱动等关键任务。
它最大的魅力在于“高效省心”。仅需2.7V的低驱动电压即可高效开启,让您能直接搭配微控制器使用,简化设计。同时,低至180毫欧的导通电阻意味着更少的能量损耗和发热,直接提升您产品的整体能效和续航。采用标准的SOT-23-3贴片封装,节省宝贵的板级空间,让您的设计更紧凑、更优雅。
- 型号:ZXM61N02FTC
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:最后售卖
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.7A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.7V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):180 毫欧 @ 930mA,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250A(最小)
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):3.4 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):160 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):625mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- ZXM61N02FTC,Diodes产品一站式供应商。